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IPAN70R360P7SXKSA1
MOSFET, N-CH, 700V, 150DEG C, 26.5W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPAN70R360P7SXKSA1
No. Parte Newark39AH8890
Rango de ProductoCoolMOS P7
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPAN70R360P7SXKSA1
No. Parte Newark39AH8890
Rango de ProductoCoolMOS P7
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds700V
Intensidad Drenador Continua Id12.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.3ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia26.5W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoCoolMOS P7
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IPAN70R360P7SXKSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
700V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.3ohm
Diseño de Transistor
TO-220FP
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS P7
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
12.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
26.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto