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IMZA65R027M1HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 59 A, 650 V, 27 mohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZA65R027M1HXKSA1Copiar
No. Parte Newark78AH7252
Rango de ProductoCoolSiC M1
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $19.420 |
| 10+ | $17.350 |
| 25+ | $15.280 |
| 50+ | $13.210 |
| 100+ | $12.530 |
| 480+ | $11.850 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZA65R027M1HXKSA1Copiar
No. Parte Newark78AH7252
Rango de ProductoCoolSiC M1
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id59
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente27
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia189
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolSiC M1
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
27
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia
189
Rango de Producto
CoolSiC M1
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
59
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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