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IMYH200R100M1HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 26 A, 2 kV, 0.131 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMYH200R100M1HXKSA1
No. Parte Newark87AK9927
Rango de ProductoCoolsiC Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $14.010 |
| 10+ | $12.220 |
| 25+ | $10.430 |
| 50+ | $8.630 |
| 100+ | $8.260 |
| 250+ | $8.170 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMYH200R100M1HXKSA1
No. Parte Newark87AK9927
Rango de ProductoCoolsiC Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id26
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.131
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.5
Disipación de Potencia217
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolsiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
26
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.131
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
2
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
217
Rango de Producto
CoolsiC Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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