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IMYH200R024M1HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 89 A, 2 kV, 33 mohm, TO-247 Plus
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMYH200R024M1HXKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante40 semanas
No. Parte Newark86AK9962
Rango de ProductoCoolSiC Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMYH200R024M1HXKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante40 semanas
No. Parte Newark86AK9962
Rango de ProductoCoolSiC Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id89
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente33
Diseño de TransistorTO-247 Plus
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.5
Disipación de Potencia576
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
89
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
33
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
2
Diseño de Transistor
TO-247 Plus
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
576
Rango de Producto
CoolSiC Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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