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IMLT65R040M2HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 57 A, 650 V, 0.036 ohm, HDSOP
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMLT65R040M2HXTMA1
No. Parte Newark03AM7986
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Opciones de embalaje
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.990 |
| 10+ | $5.430 |
| 25+ | $5.000 |
| 50+ | $4.570 |
| 100+ | $4.150 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMLT65R040M2HXTMA1
No. Parte Newark03AM7986
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id57A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.036ohm
Diseño de TransistorHDSOP
No. de Pines16Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia268W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
57A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.036ohm
No. de Pines
16Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
HDSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
268W
Rango de Producto
CoolSiC G2 Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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