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IMLT40R036M2HXTMA1
MOSFET, N-CH, 400V, 50A, HDSOP ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMLT40R036M2HXTMA1
No. Parte Newark59AM2297
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $8.880 |
| 10+ | $7.990 |
| 25+ | $7.440 |
| 50+ | $6.850 |
| 100+ | $6.140 |
| 250+ | $5.140 |
| 500+ | $4.950 |
| 1000+ | $4.730 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMLT40R036M2HXTMA1
No. Parte Newark59AM2297
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id50A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0457ohm
Diseño de TransistorHDSOP
No. de Pines16Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia167W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
50A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0457ohm
No. de Pines
16Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400V
Diseño de Transistor
HDSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
167W
Rango de Producto
CoolSiC G2 Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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