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IMBG65R015M2HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG65R015M2HXTMA1
No. Parte Newark97AK4557
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $16.640 |
| 10+ | $11.770 |
| 25+ | $11.460 |
| 50+ | $11.140 |
| 100+ | $10.840 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG65R015M2HXTMA1
No. Parte Newark97AK4557
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id115
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0132
Diseño de TransistorTO-263
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia416
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
115
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0132
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
TO-263
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
416
Rango de Producto
CoolSiC Gen 2 Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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