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IMBG120R181M2HXTMA1
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 14.9A, TO-263HV
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG120R181M2HXTMA1
No. Parte Newark97AK2412
Rango de ProductoCoolSiC Mosfet 1200V G2
Su número de pieza
106 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.590 |
| 10+ | $3.050 |
| 25+ | $2.760 |
| 50+ | $2.470 |
| 100+ | $2.180 |
| 250+ | $2.120 |
| 500+ | $2.070 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.59
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG120R181M2HXTMA1
No. Parte Newark97AK2412
Rango de ProductoCoolSiC Mosfet 1200V G2
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id14.9
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1814
Diseño de TransistorTO-263HV
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.1
Disipación de Potencia94
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Mosfet 1200V G2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
14.9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1814
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.1
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-263HV
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
94
Rango de Producto
CoolSiC Mosfet 1200V G2
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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