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IGOT60R070D1AUMA3
Transistor de nitruro de galio (GaN), 600 V, 31 A, 70 mohm, 5.8 nC, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIGOT60R070D1AUMA3Copiar
No. Parte Newark58AJ2275
Rango de ProductoCoolGaN
Su número de pieza
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Información del producto
FabricanteINFINEON
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No. Parte Newark58AJ2275
Rango de ProductoCoolGaN
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id31
Resistencia Encendida Rds (activada) Máx.0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente70
Carga de Compuerta Típica5.8
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines20Pines
Rango de ProductoCoolGaN
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Encendida Rds (activada) Máx.
0
Carga de Compuerta Típica
5.8
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
CoolGaN
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Intensidad Drenador Continua Id
31
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
70
Diseño de Transistor
SOIC
No. de Pines
20Pines
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto