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FS200R12PT4
IGBT Module
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFS200R12PT4Copiar
No. Parte Newark84R7216
También conocido comoSP000485586
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFS200R12PT4Copiar
No. Parte Newark84R7216
También conocido comoSP000485586
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración IGBTSix Pack [Full Bridge]
Corriente del Colector Continua200A
Corriente de Colector DC200A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.2kV
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.75V
Disipación de Potencia1kW
Disipación de Potencia Pd1kW
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
No. de Pines20Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 4
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The FS200R12PT4 is an EconoPACK™ 4 IGBT Module with fast Trench/field-stop IGBT4, emitter controlled 4 diode, NTC and PressFIT contact technology. It is ideal for low inductive system designs.
- Extended operating temperature T(vj op)
- Low switching losses
- V(CEsat) with positive temperature coefficient
- Isolated base plate and standard housing
- Compact module
- Easy and most reliable assembly
- No plugs and cables required
- 2.5kVAC Insulation (1 minute)
Aplicaciones
Administración de Potencia, Control de Motor, Energía Alternativa, Commercial, Agriculture
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente del Colector Continua
200A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.2kV
Disipación de Potencia
1kW
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Stud
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Configuración IGBT
Six Pack [Full Bridge]
Corriente de Colector DC
200A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.75V
Disipación de Potencia Pd
1kW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
No. de Pines
20Pines
Tecnología IGBT
IGBT 4
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto