Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

27 En Inventario
¿Necesita más?
15 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
12 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 8 p.m. EST envío estándar
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $15.780 |
| 10+ | $14.640 |
| 25+ | $14.180 |
| 50+ | $13.840 |
| 100+ | $13.500 |
| 250+ | $13.060 |
| 500+ | $12.730 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$15.78
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFM1808B-SGTR
No. Parte Newark62AK5305
Hoja de datos técnicos
Densidad de Memoria256
Tamaño de la Memoria0
Configuración de Memoria32K x 8bit
Organización de Memoria0
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesParallel
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj-
Tensión de Alimentación Mín.4.5
Tensión de Alimentación Máx.5.5
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CISOIC
No. de Pines28Pines
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
La FM1808B-SGTR es una memoria F-RAM de 256Kbit (32K × 8) bytes de ancho. Se trata de una memoria no volátil de 32K × 8 que se lee y escribe de forma similar a una SRAM estándar. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil, lo que
- Encapsulado SOIC de 28 pines, ancho de E/S × 8
- Rango de voltaje de 4.5 a 5.5V, rango de temperatura industrial de -40 a +85 °C.
- Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 256Kbit (F-RAM) organizada lógicamente como 32K × 8
- Alta resistencia: 100 billones (10¹⁴) de lecturas/escrituras, retención de datos durante 151 años.
- Escritura NoDelay™, proceso ferroeléctrico avanzado de alta confiabilidad
- Compatible con SRAM y EEPROM, con distribución de pines estándar de la industria de 32 K × 8 para SRAM y EEPROM.
- Tiempo de acceso de 70ns, tiempo de ciclo de 130ns, superior a los módulos SRAM con respaldo de batería.
- Sin preocupaciones por la batería, confiabilidad monolítica, verdadera solución de montaje en superficie, sin pasos de retrabajo
- Superior a la humedad, golpes y vibraciones, resistente a caídas de tensión negativas.
- Bajo consumo de energía, corriente activa 15mA (máx.), corriente en espera 25μA (típica).
Especificaciones técnicas
Densidad de Memoria
256
Configuración de Memoria
32K x 8bit
Tipo de Interfaz IC
0
Frecuencia de Reloj
0
Tensión de Alimentación Mín.
4.5
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
28Pines
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Tamaño de la Memoria
0
Organización de Memoria
0
Interfaces
Parallel
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Máx.
5.5
Estuche / Paquete CI
SOIC
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
