Imprimir página
FF600R12KE4EBOSA1
Módulo IGBT, Doble, Emisor Común, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF600R12KE4EBOSA1Copiar
No. Parte Newark93AC7010
Su número de pieza
18 En Inventario
¿Necesita más?
11 Entrega en EE. UU. en 1-3 días hábiles. Haga su pedido antes de las 12:30 p. m. EST (hora estandar del este de EE. UU.). Envío estándar.
7 Stock disponible en el Reino Unido para entrega en 4-6 días laborables.
Pedido antes de las 8 p.m. EST envío estándar
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $162.780 |
| 5+ | $161.980 |
| 10+ | $161.170 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$162.78
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF600R12KE4EBOSA1Copiar
No. Parte Newark93AC7010
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDual, Common Emitter
Corriente del Colector Continua600
Corriente de Colector DC600A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.75V
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.75
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Temperatura de Trabajo Máx.150
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Dual, Common Emitter
Corriente de Colector DC
600A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.75
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Terminación del IGBT
Stud
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Corriente del Colector Continua
600
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.75V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto