CY7C1011DV33-10ZSXIT

CY7C1011DV33-10ZSXIT es una RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada como 128K palabras por 16 bits. La escritura en el dispositivo se logra tomando las entradas de habilitación de chip (CE bajo activo) y habilitación de escritura (WE bajo activo) en BAJA. Si Byte Low Enable (BLE activo bajo) es BAJO, entonces los datos de los pines de E/S (E/S0 a E/S7) se escriben en la ubicación especificada en los pines de dirección (A0 a A16). Si Byte High Enable (BHE activo-bajo) es BAJO, entonces los datos de los pines de E/S (E/S8 a E/S15) se escriben en la ubicación especificada en los pines de dirección (A0 a A16). La lectura del dispositivo se realiza poniendo en BAJO las señales de Habilitación del chip (CE, activa en bajo) y Habilitación de salida (OE, activa en bajo) mientras se fuerza la señal de Habilitación de escritura (WE, por sus siglas en inglés) a ALTO. Si la señal de Habilitación de Byte Bajo (BLE, activa en bajo) está en BAJO, los datos de la ubicación de memoria especificada por los pines de dirección aparecerán en las entradas/salidas 0 a 7. Si la habilitación de byte alto (BHE) está en bajo, los datos de la memoria aparecerán en las entradas/salidas 8 a 15.

• Retención de datos a 2,0 V, apagado automático al desactivarse.
• Control independiente de bits superiores e inferiores
• Fácil expansión de memoria con funciones CE activas bajas y OE activas bajas
• Densidad de 2Mbit, ancho de datos de 16 bits, tecnología de proceso de 90nm, rango de voltaje de 3V a 3.6V
• Velocidad de 10ns, corriente de fuga de entrada máxima de +1µA en (GND <lt/> VI <lt/> VCC)
• La corriente de fuga de salida es de +1 µA máximo a (GND <lt/> VOUT <lt/> VCC)
• La corriente de alimentación de funcionamiento de VCC es de 90mA típica a (VCC = Máx., f = fMAX = 1/tRC, 100MHz)
• La capacitancia de entrada es de 8pF como máximo a (TA = 25 °C, f = 1MHz, VCC = 3.3V).
• Compatible con pines y funciones de CY7C1011CV33
• Rango de temperatura ambiente industrial de -40 °C a +85 °C, paquete TSOP de 44 pines