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CY62167DV30LL-55BVXIT
SRAM, SRAM asíncrona, 16 Mbit, 1M x 16bit, VFBGA, 48 Pines, 2.2 V
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY62167DV30LL-55BVXITCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)86AK7323RL
Cinta adhesiva86AK7323
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $24.000 | $24.00 |
| Total Precio | $24.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $24.000 |
| 50+ | $21.680 |
| 100+ | $21.270 |
| 250+ | $20.740 |
| 500+ | $20.350 |
| 1000+ | $19.940 |
| 2500+ | $19.540 |
| 5000+ | $19.130 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY62167DV30LL-55BVXITCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)86AK7323RL
Cinta adhesiva86AK7323
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMAsynchronous SRAM
Densidad de Memoria16
Configuración de Memoria1M x 16bit
Estuche / Paquete CIVFBGA
No. de Pines48Pines
Tensión de Alimentación Mín.2.2
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
CY62167DV30LL-55BVXIT es una memoria RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada en 1 millón de palabras por 16 bits. Este dispositivo cuenta con un diseño de circuito avanzado para proporcionar una corriente activa ultrabaja. Esto es ideal para prop
- Paquete TSOP-I configurable como SRAM de 1M × 16 o 2M × 8.
- Amplio rango de voltaje de 2.2V a 3.6V
- Consumo de energía en espera ultrabajo
- Fácil expansión de memoria con funciones activas bajas CE1, activas bajas CE2 y activas bajas OE.
- Apagado automático cuando no está seleccionado
- Semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS) para una velocidad/potencia óptimas.
- Rango de VCC: de 2.2 a 3.6V, disipación de potencia típica: 2mA (f = 1 MHz).
- El consumo típico de ISB2 en modo de espera es de 2.5µA; la tensión VCC para la retención de datos es de 1.5V como mínimo.
- Corriente de retención de datos de 30µA (VCC = 1.5V), tiempo de recuperación de la operación de 55ns min
- Paquete FBGA de 48 bolas, rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
Asynchronous SRAM
Configuración de Memoria
1M x 16bit
No. de Pines
48Pines
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Densidad de Memoria
16
Estuche / Paquete CI
VFBGA
Tensión de Alimentación Mín.
2.2
Tensión de Alimentación Nom.
3
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B2A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto