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CY62157EV30LL-45BVI
SRAM, SRAM asíncrona, 8 Mbit, 512K x 16bit, VFBGA, 48 Pines, 2.2 V
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY62157EV30LL-45BVICopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark86AK7322
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $20.730 |
| 10+ | $19.230 |
| 25+ | $18.620 |
| 50+ | $15.470 |
| 100+ | $14.780 |
| 250+ | $13.190 |
| 960+ | $11.770 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY62157EV30LL-45BVICopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark86AK7322
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMAsynchronous SRAM
Densidad de Memoria8
Configuración de Memoria512K x 16bit
Estuche / Paquete CIVFBGA
No. de Pines48Pines
Tensión de Alimentación Mín.2.2
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Resumen del producto
CY62157EV30LL-45BVI es una RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada como 512K palabras por 16 bits. Este dispositivo cuenta con un diseño de circuito avanzado para proporcionar una corriente activa ultrabaja. Esto es ideal para proporcionar más vi
- Encapsulado TSOP-I configurable como memoria RAM estática (SRAM) de 512KB × 16 o 1MB × 8.
- Fácil expansión de memoria con funciones CE1, CE2 y OE de nivel activo bajo
- Apagado automático cuando no está seleccionado
- Semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS) para una velocidad y potencia óptimas
- Rango de VCC: de 2.2 a 3.6V, disipación de potencia típica: 1.8mA (f = 1 MHz), en espera; ISB2: 2µA típico.
- Rango de corriente de fuga de entrada de -4 a +4µA (GND <lt/> VI <lt/> VCC)
- Corriente de fuga de salida: rango de -4 a +4µA (GND <lt/> VO <lt/> VCC, salida desactivada).
- El VCC para retención de datos es de 1.5V como mínimo
- Corriente de retención de datos de 30µA (VCC = 1.5V), tiempo de recuperación de la operación de 55ns min
- Paquete VFBGA de 48 bolas, rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
Asynchronous SRAM
Configuración de Memoria
512K x 16bit
No. de Pines
48Pines
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Densidad de Memoria
8
Estuche / Paquete CI
VFBGA
Tensión de Alimentación Mín.
2.2
Tensión de Alimentación Nom.
3
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B2A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):No
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
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Certificado de conformidad del producto