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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.509 |
| 10+ | $0.391 |
| 25+ | $0.267 |
| 50+ | $0.221 |
| 100+ | $0.185 |
| 250+ | $0.147 |
| 500+ | $0.124 |
| 1000+ | $0.103 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS83IXUSA1
No. Parte Newark29AM6745
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id550mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.7ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia1.04W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
550mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.04W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.7ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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