Imprimir página
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS316NH6327XTSA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)87X8603
Cinta adhesiva87X8603
También conocido comoBSS316N H6327, SP000928948
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
26,490 En Inventario
¿Necesita más?
8270 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
18220 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.24 |
| 10+ | $0.14 |
| 25+ | $0.12 |
| 50+ | $0.10 |
| 100+ | $0.08 |
| 250+ | $0.08 |
| 500+ | $0.08 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS316NH6327XTSA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)87X8603
Cinta adhesiva87X8603
También conocido comoBSS316N H6327, SP000928948
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id1.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.16ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.119ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd500mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6
Disipación de Potencia500
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BSS316N H6327 is an OptiMOS™2 N-channel logic level enhancement mode Small Signal Transistor, logic level (4.5V rated) and avalanche rated.
- ±20V Gate-source voltage
- 260°C Soldering temperature
- AEC-Q101 Qualified
- Halogen-free
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.16ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
500mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.4
Resistencia de Activación Rds(on)
0.119ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Alternativas para el número de pieza BSS316NH6327XTSA1
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65