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BSS225H6327FTSA1
MOSFET, CAN N, 600V, 0.09A, SOT-89-3
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FabricanteINFINEON
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No. Parte Newark68AC4431
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.886 |
| 10+ | $0.553 |
| 25+ | $0.488 |
| 50+ | $0.422 |
| 100+ | $0.357 |
| 250+ | $0.316 |
| 500+ | $0.274 |
| 1000+ | $0.243 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
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No. Parte Newark68AC4431
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id90mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente28ohm
Diseño de TransistorSOT-89
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9V
Disipación de Potencia1W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-89
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
90mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
28ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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