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BSC340N08NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC340N08NS3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo93AK8295
Re-reeling (Rollos a medida)47W3313RL
Cinta adhesiva47W3313
También conocido comoBSC340N08NS3 G, SP000447534
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.260 | $1.26 |
| Total Precio | $1.26 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.260 |
| 50+ | $0.594 |
| 100+ | $0.527 |
| 250+ | $0.469 |
| 500+ | $0.410 |
| 1000+ | $0.391 |
| 2500+ | $0.354 |
| 5000+ | $0.304 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5000+ | $0.393 |
| 10000+ | $0.377 |
| 15000+ | $0.361 |
| 25000+ | $0.354 |
| 50000+ | $0.347 |
| 125000+ | $0.339 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC340N08NS3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo93AK8295
Re-reeling (Rollos a medida)47W3313RL
Cinta adhesiva47W3313
También conocido comoBSC340N08NS3 G, SP000447534
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id23A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0275ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.034ohm
Diseño de TransistorSuperSOT
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd32W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia32W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSC340N08NS3 G es un MOSFET de potencia de canal N de 80 V que ofrece soluciones superiores para SMPS de alta eficiencia y alta densidad de potencia. El OptiMOS™ MOSFET ofrece el RDS (encendido) más bajo de la industria dentro de las clases de voltaje. Es ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y tecnología optimizada para convertidores CD-CD.
- Refrigeración de doble cara
- Inductancia parásita baja
- Perfil bajo (<lt/>0.7mm)
- Pérdidas bajas de conmutación y conducción.
- RDS(on) de muy baja resistencia a la conexión
- Resistencia térmica superior
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0275ohm
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia Pd
32W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
23A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.034ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
32W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
