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BSC190N15NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, PG-TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC190N15NS3GATMA1
No. Parte Newark79X1336
También conocido comoBSC190N15NS3 G, SP000416636
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.910 |
| 10+ | $2.520 |
| 25+ | $2.270 |
| 50+ | $2.000 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC190N15NS3GATMA1
No. Parte Newark79X1336
También conocido comoBSC190N15NS3 G, SP000416636
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia de Activación Rds(on)0.016ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.019
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd125W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia125
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza BSC190N15NS3GATMA1
2 productos encontrados
Resumen del producto
El BSC190N15NS3 G es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™ ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona. Logra una reducción en RDS (ON) del 40% y del 45% en figura de mérito (FOM) en comparación con el siguiente mejor competidor. Esta drástica mejora abre nuevas posibilidades, como pasar de paquetes con plomo a paquetes SMD o reemplazar efectivamente dos piezas viejas con una pieza OptiMOS™.
- Excelente rendimiento de conmutación
- RDS más bajo del mundo (ON)
- Muy bajo Qg y Qgd
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- MSL1 clasificado 2
- Amigable con el medio ambiente
- Eficiencia incrementada
- La más alta densidad de potencia
- Se requiere menos paralelismo
- Menor consumo de espacio de tablero
- Productos fáciles de diseñar
- Nivel normal
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia de Activación Rds(on)
0.016ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.019
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
125W
Disipación de Potencia
125
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto