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BSC060P03NS3EGATMA1
MOSFET, P-CH, 30V, 100A, TDSON ROHS COMPLIANT: YES
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 57 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5000+ | $0.577 |
| 10000+ | $0.557 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 5000
Múltiple: 5000
$2,885.00
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC060P03NS3EGATMA1
No. Parte Newark86AK4452
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6000µohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia83W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
83W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6000µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza BSC060P03NS3EGATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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