Imprimir página
BSC057N08NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 100 A, 0.0057 ohm, PG-TDSON, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC057N08NS3GATMA1
No. Parte Newark79X1332
También conocido comoBSC057N08NS3 G, SP000447542
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 23 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.350 |
| 10+ | $2.310 |
| 25+ | $2.070 |
| 50+ | $1.850 |
| 100+ | $1.610 |
| 250+ | $1.460 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC057N08NS3GATMA1
No. Parte Newark79X1332
También conocido comoBSC057N08NS3 G, SP000447542
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia de Activación Rds(on)0.0047ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0057
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd114W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia114
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSC057N08NS3 G es un MOSFET de potencia de canal N de 80 V que ofrece soluciones superiores para SMPS de alta eficiencia y alta densidad de potencia. El OptiMOS™ MOSFET ofrece el RDS (encendido) más bajo de la industria dentro de las clases de voltaje. Es ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y tecnología optimizada para convertidores CD-CD.
- Refrigeración de doble cara
- Inductancia parásita baja
- Perfil bajo (<lt/>0.7mm)
- Pérdidas bajas de conmutación y conducción.
- RDS(on) de muy baja resistencia a la conexión
- Resistencia térmica superior
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0047ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia Pd
114W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0057
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
114
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza BSC057N08NS3GATMA1
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto