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BSC050N03LSGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 80 A, 0.005 ohm, PG-TDSON, Montaje Superficial
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.060 |
| 10+ | $0.663 |
| 25+ | $0.586 |
| 50+ | $0.510 |
| 100+ | $0.433 |
| 250+ | $0.383 |
| 500+ | $0.334 |
| 1000+ | $0.302 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC050N03LSGATMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)97Y1249
Cinta adhesiva97Y1249
Rango de ProductoOptiMOS 3
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id80
Resistencia de Activación Rds(on)0.0042ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.005
Diseño de TransistorPG-TDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia50
Disipación de Potencia Pd50W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoOptiMOS 3
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
OptiMOS™ 3 power-MOSFET adecuado para aplicaciones potenciales como cargador integrado, computadora portátil, placa base, CD-CD, VRD/VRM, control de motor y LED.
- MOSFET de conmutación rápida para SMPS
- Tecnología optimizada para convertidores CD/CD
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Excelente carga de puerta x producto(FOM) RDS (on)
- RDS(on) de muy baja resistencia a la conexión
- Resistencia térmica superior
- Avalancha clasificada
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0042ohm
Diseño de Transistor
PG-TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
50
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 3
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.005
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia Pd
50W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto