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BSC042NE7NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 75 V, 100 A, 0.0042 ohm, PG-TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC042NE7NS3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4446
Re-reeling (Rollos a medida)79X1331RL
Cinta adhesiva79X1331
También conocido comoBSC042NE7NS3 G, SP000657440
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707 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $2.430 | $12.15 |
| Total Precio | $12.15 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $2.430 |
| 10+ | $1.240 |
| 15+ | $1.210 |
| 25+ | $1.180 |
| 50+ | $1.140 |
| 125+ | $1.110 |
| 250+ | $1.090 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5000+ | $0.952 |
| 10000+ | $0.937 |
| 15000+ | $0.921 |
| 25000+ | $0.903 |
| 50000+ | $0.884 |
| 125000+ | $0.866 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC042NE7NS3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4446
Re-reeling (Rollos a medida)79X1331RL
Cinta adhesiva79X1331
También conocido comoBSC042NE7NS3 G, SP000657440
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0037ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0042
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd125W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.1V
Disipación de Potencia125W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSC042NE7NS3 G es un MOSFET de potencia de canal N con tecnología OptiMOS™ que se especializa en aplicaciones de rectificación síncrona. Basados en la tecnología líder de 80V, estos productos de 75V presentan simultáneamente las resistencias en estado ON más bajas y un rendimiento de conmutación superior.
- El mejor rendimiento de conmutación
- RDS más bajo del mundo (ON)
- Muy bajo Qg y Qgd
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- Clasificación MSL1
- Amigable con el medio ambiente
- Eficiencia incrementada
- La más alta densidad de potencia
- Se requiere menos paralelismo
- Menor consumo de espacio de tablero
- Productos fáciles de diseñar
- Ideal para conmutación de alta frecuencia y convertidores CD a CD
- Nivel normal
- Resistencia térmica superior
- Probado avalancha 100%
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Dispositivo verde
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0037ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia Pd
125W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.1V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0042
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza BSC042NE7NS3GATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
