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BSC042NE7NS3GATMA1
MV MOS DE POTENCIA
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FabricanteINFINEON
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Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark86AK4446
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 12 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5000+ | $1.010 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 5000
Múltiple: 5000
$5,050.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
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Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark86AK4446
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4200µohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.1V
Disipación de Potencia125W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4200µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.1V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
