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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC030P03NS3GAUMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)85X4150
Cinta adhesiva85X4150
También conocido comoBSC030P03NS3 G, SP000442470
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.92 |
| 10+ | $2.10 |
| 25+ | $1.99 |
| 50+ | $1.75 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC030P03NS3GAUMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)85X4150
Cinta adhesiva85X4150
También conocido comoBSC030P03NS3 G, SP000442470
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3000µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0023ohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd125W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia125
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza BSC030P03NS3GAUMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
The BSC030P03NS3 G is a P-channel OptiMOS™ power MOSFET consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics. It is suitable for use with DC-to-DC converters, eMobility, notebook and on-board charger applications.
- Enhancement-mode
- Normal level, logic level or super logic level
- Avalanche rated
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3000µohm
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia Pd
125W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0023ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
125
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto