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BSC028N06NSATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, PG-TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC028N06NSATMA1
No. Parte Newark79X1329
También conocido comoBSC028N06NS, SP000917416
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.890 |
| 10+ | $2.530 |
| 25+ | $2.280 |
| 50+ | $2.030 |
| 100+ | $1.780 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC028N06NSATMA1
No. Parte Newark79X1329
También conocido comoBSC028N06NS, SP000917416
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia de Activación Rds(on)0.0025ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0028
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd83W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia83
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSC028N06NS es un MOSFET de potencia de canal N de 60 V optimizado para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS) como las que se encuentran en servidores, computadoras de escritorio y cargadores de tabletas. El MOSFET presenta un RDS (encendido) un 40% menor que los dispositivos alternativos. La carga de la puerta y la carga de salida drásticamente reducidas permiten una alta eficiencia del sistema y una densidad de potencia. El MOSFET de potencia OptiMOS ™ es ideal para conmutación de alta frecuencia y convertidores CD-CD.
- Mayor eficiencia del sistema
- Se requiere menos paralelismo
- Aumento de la densidad de potencia
- Ahorro de espacio
- Sobreimpulso de muy bajo voltaje
- Resistencia térmica superior
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0025ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia Pd
83W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0028
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
83
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza BSC028N06NSATMA1
8 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto