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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC014N04LSATMA1
No. Parte Newark
Hilado completo89AK3073
Re-reeling (Rollos a medida)31Y0555
Cinta adhesiva31Y0555
También conocido comoBSC014N04LS, SP000871196
Su número de pieza
6,550 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $2.120 | $10.60 |
| Total Precio | $10.60 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.120 |
| 10+ | $1.360 |
| 25+ | $1.220 |
| 50+ | $1.060 |
| 100+ | $0.912 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5000+ | $0.824 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC014N04LSATMA1
No. Parte Newark
Hilado completo89AK3073
Re-reeling (Rollos a medida)31Y0555
Cinta adhesiva31Y0555
También conocido comoBSC014N04LS, SP000871196
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1400µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0011ohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd96W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia96
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BSC014N04LS is a N-channel Power MOSFET features not only the industry's lowest RDS (ON) but also a perfect switching behaviour for fast switching applications. 15% lower RDS (ON) and 31% lower figure of merit (RDS (ON) x Qg) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology.
- Optimized for synchronous rectification
- Integrated Schottky-like diode
- 100% Avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Higher solder joint reliability due to enlarged source interconnection
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Halogen-free
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1400µohm
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia Pd
96W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0011ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
96
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza BSC014N04LSATMA1
8 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
