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BSC010NE2LSATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 100 A, 0.001 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC010NE2LSATMA1
No. Parte Newark47Y7990
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1000µohm
Resistencia de Activación Rds(on)800µohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia96
Disipación de Potencia Pd96W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza BSC010NE2LSATMA1
4 productos encontrados
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1000µohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
96
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
800µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia Pd
96W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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