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BSC010N04LSATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | BSC010N04LSATMA1Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 52 semanas |
| No. Parte Newark | Re-reeling (Rollos a medida)50Y1792RL Cinta adhesiva50Y1792 |
| También conocido como | BSC010N04LS, SP000928282 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
42,206 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.310 | $2.31 |
| Total Precio | $2.31 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.310 |
| 50+ | $1.280 |
| 100+ | $1.190 |
| 250+ | $1.100 |
| 500+ | $1.010 |
| 1000+ | $0.990 |
| 2500+ | $0.970 |
| 5000+ | $0.949 |
nota de línea
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Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | BSC010N04LSATMA1Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 52 semanas |
| No. Parte Newark | Re-reeling (Rollos a medida)50Y1792RL Cinta adhesiva50Y1792 |
| También conocido como | BSC010N04LS, SP000928282 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 40 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 100 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 850µohm |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.001 |
| Diseño de Transistor | TDSON |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia Pd | 139W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 2 |
| Disipación de Potencia | 139 |
| No. de Pines | 8Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
The BSC010N04LS is a 40V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification. This MOSFET features not only the industry's lowest RDS (on) but also a perfect switching behaviour for fast switching applications. 15% lower RDS (on) and 31% lower Figure of Merit (RDS (on) x Qg) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Saving space
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 40 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 850µohm |
| Diseño de Transistor | TDSON |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 2 |
| No. de Pines | 8Pines |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 100 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.001 |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Disipación de Potencia Pd | 139W |
| Disipación de Potencia | 139 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSC010N04LSATMA1
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
 | Proposition 65 |