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BFS481H6327XTSA1
Transistor RF - Bipolar, NPN Doble, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363
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FabricanteINFINEON
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No. Parte Newark50Y1773
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Información del producto
FabricanteINFINEON
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No. Parte Newark50Y1773
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN Doble
Voltaje Máx. Colector a Emisor12
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Frecuencia de Transición8
Disipación de Potencia175
Disipación de Potencia Pd0
Corriente del Colector Continua20
Corriente de Colector DC0
Ganancia de Corriente DC hFE0
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Encapsulado de Transistor RF0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.70
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN Doble
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Disipación de Potencia
175
Corriente del Colector Continua
20
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
6Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
70
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje Máx. Colector a Emisor
12
Frecuencia de Transición
8
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente de Colector DC
0
Diseño de Transistor
SOT-363
Encapsulado de Transistor RF
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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