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AUIRF7647S2TR
MOSFET, AUTO, CANAL N, 100V, DIRECTFETSC
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5,832 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.610 | $2.61 |
| Total Precio | $2.61 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.610 |
| 50+ | $2.560 |
| 100+ | $2.510 |
| 250+ | $2.450 |
| 500+ | $2.400 |
| 1000+ | $2.350 |
| 2500+ | $2.300 |
| 5000+ | $2.240 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAUIRF7647S2TRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)91Y4158RL
Cinta adhesiva91Y4158
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id24
Resistencia de Activación Rds(on)0.026ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.031
Diseño de TransistorDirectFET SC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia41
Disipación de Potencia Pd41W
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia Directed® calificado para automoción
- Tecnología de proceso avanzada
- Optimizado para aplicaciones de amplificador de audio de clase D
- Bajo Rds.(on) para mejorar la eficiencia
- Qi bajo para mejor THD y eficiencia mejorada
- Qtr.bajo para mejor THD y menor EMI
- Inductancia parásita baja para un timbre reducido y una EMI más baja
- Ofrece hasta 100W por canal en 8 ohms sin disipador de calor
- Refrigeración de doble cara
- Capacidad para soportar avalanchas repetitivas para mayor confiabilidad y robustez
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.026ohm
Diseño de Transistor
DirectFET SC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
41
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
HEXFET
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
24
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.031
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
41W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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