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AUIRF7313QTR
MOSFET Dual, Doble Canal N, 30 V, 6.9 A, 0.029 ohm
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAUIRF7313QTRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante100 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)91Y4157RL
Cinta adhesiva91Y4157
Rango de ProductoHEXFET Series
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.130 | $2.13 |
| Total Precio | $2.13 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.130 |
| 50+ | $1.880 |
| 100+ | $1.690 |
| 250+ | $1.510 |
| 500+ | $1.320 |
| 1000+ | $1.130 |
| 2500+ | $1.030 |
| 5000+ | $0.978 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAUIRF7313QTRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante100 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)91Y4157RL
Cinta adhesiva91Y4157
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6.9
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.029
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.023ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.4
Disipación de Potencia de Canal P2.4W
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6.9A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.023ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2.4W
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6.9
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.029
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2.4
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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