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| 10+ | $4.830 |
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| 50+ | $3.970 |
| 100+ | $3.440 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAUIRF4905SCopiar
No. Parte Newark39AH8753
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id70A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02ohm
Diseño de TransistorTO-263AB
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia170W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263AB
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
70A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
170W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto