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MMFTN3422K-AQ
MOSFET, N-CH, 30V, 4.2A, SOT-23
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.447 |
| 10+ | $0.356 |
| 15+ | $0.323 |
| 25+ | $0.290 |
| 50+ | $0.257 |
| 125+ | $0.224 |
| 250+ | $0.223 |
| 500+ | $0.222 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteMMFTN3422K-AQCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark11AN6381
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id4.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.042ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2V
Disipación de Potencia1.25W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.2A
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.042ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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