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MMBT7002KW-AQ
MOSFET, N-CH, 60V, 0.3A, SOT-323
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.260 |
| 10+ | $0.176 |
| 100+ | $0.086 |
| 500+ | $0.052 |
| 1000+ | $0.039 |
| 2500+ | $0.033 |
| 10000+ | $0.032 |
| 25000+ | $0.026 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteMMBT7002KW-AQCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark11AN6348
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id300mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia200mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
300mA
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
200mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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