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DIW120SIC028
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDIW120SIC028
No. Parte Newark26AM0858
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $30.780 |
| 5+ | $29.620 |
| 10+ | $28.320 |
| 25+ | $27.160 |
| 50+ | $25.870 |
| 100+ | $25.480 |
| 250+ | $24.960 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDIW120SIC028
No. Parte Newark26AM0858
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id100
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0274
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia517
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0274
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
517
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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