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DIW120SIC022
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 120A, TO-247
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FabricanteDIOTEC
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $32.440 |
| 5+ | $31.190 |
| 10+ | $29.950 |
| 25+ | $27.590 |
| 50+ | $25.790 |
| 100+ | $25.370 |
| 250+ | $24.820 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteDIOTEC
No. Parte FabricanteDIW120SIC022Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark49AM2800
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id120A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0223ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia580W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
120A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0223ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
580W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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