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DIW040F135
IGBT, 80 A, 2.1 V, 510 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pines
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDIW040F135
No. Parte Newark16AM8160
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 17 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $8.450 |
| 10+ | $7.760 |
| 25+ | $7.220 |
| 50+ | $6.860 |
| 100+ | $6.510 |
| 250+ | $5.730 |
| 500+ | $5.610 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$8.45
nota de línea
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDIW040F135
No. Parte Newark16AM8160
Corriente del Colector Continua80
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.1
Disipación de Potencia510
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.35
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
80
Disipación de Potencia
510
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.1
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.35
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto