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DIT100N10
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 100 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDIT100N10Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark16AM8156
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.620 |
| 10+ | $1.420 |
| 100+ | $1.250 |
| 500+ | $1.130 |
| 1000+ | $1.090 |
| 2500+ | $1.040 |
| 5000+ | $0.975 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.62
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDIT100N10Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark16AM8156
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.013
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia200
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
200
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.013
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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