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DI7A5N65D2K
MOSFET, N-CH, 650V, 7.5A, TO-263AB ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI7A5N65D2K
No. Parte Newark27AM3431
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.140 |
| 10+ | $2.810 |
| 25+ | $2.580 |
| 50+ | $2.350 |
| 100+ | $2.100 |
| 250+ | $1.860 |
| 500+ | $1.730 |
| 1000+ | $1.660 |
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI7A5N65D2K
No. Parte Newark27AM3431
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id7.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.43ohm
Diseño de TransistorTO-263AB (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia62.5W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
7.5A
Diseño de Transistor
TO-263AB (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
62.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.43ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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