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DI200N10D2
MOSFET, N-CHANNEL, 100V, 200A, TO-263AB ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI200N10D2
No. Parte Newark29AM8400
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.570 |
| 10+ | $3.200 |
| 25+ | $2.930 |
| 50+ | $2.670 |
| 100+ | $2.380 |
| 250+ | $2.120 |
| 500+ | $1.970 |
| 1000+ | $1.890 |
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI200N10D2
No. Parte Newark29AM8400
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id200A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2300µohm
Diseño de TransistorTO-263AB (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia340W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
200A
Diseño de Transistor
TO-263AB (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
340W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2300µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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