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DI110N06D2
MOSFET, N-CH, 60V, 110A, TO-263AB
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.200 |
| 10+ | $1.920 |
| 100+ | $1.600 |
| 500+ | $1.510 |
| 1000+ | $1.380 |
| 2500+ | $1.190 |
| 5000+ | $1.160 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI110N06D2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark11AN2660
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id110A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0032ohm
Diseño de TransistorTO-263AB (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia62.5W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
110A
Diseño de Transistor
TO-263AB (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
62.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0032ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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