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DI101N10PQ
POWER MOSFET, N-CH, 90A, SOT-669
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI101N10PQCopiar
No. Parte Newark09AN3726
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.789 |
| 10+ | $0.634 |
| 100+ | $0.435 |
| 500+ | $0.379 |
| 1000+ | $0.333 |
| 2500+ | $0.274 |
| 10000+ | $0.265 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI101N10PQCopiar
No. Parte Newark09AN3726
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id90A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9000µohm
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.1V
Disipación de Potencia198W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
90A
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
198W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9000µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.1V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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