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DI100N04D1
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-252AA (DPAK), Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.660 |
| 10+ | $1.450 |
| 25+ | $1.330 |
| 50+ | $1.220 |
| 100+ | $1.050 |
| 250+ | $0.954 |
| 500+ | $0.852 |
| 1000+ | $0.825 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteDIOTEC
No. Parte FabricanteDI100N04D1Copiar
No. Parte Newark73AM7090
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.004
Diseño de TransistorTO-252AA (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia83.3
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
100
Diseño de Transistor
TO-252AA (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
83.3
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.004
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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