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DI080N06PQ-AQ
MOSFET, N-CH, 65V, 105A, QFN
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI080N06PQ-AQ
No. Parte Newark16AM8201
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.660 |
| 10+ | $2.380 |
| 25+ | $2.190 |
| 50+ | $1.990 |
| 100+ | $1.780 |
| 250+ | $1.580 |
| 500+ | $1.470 |
| 1000+ | $1.410 |
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI080N06PQ-AQ
No. Parte Newark16AM8201
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds65V
Intensidad Drenador Continua Id105A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3000µohm
Diseño de TransistorQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia65.8W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
105A
Diseño de Transistor
QFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
65.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
65V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3000µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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