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DI072N06PT
MOSFET, N-CH, 65V, 72A, QFN ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI072N06PT
No. Parte Newark27AM3427
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.300 |
| 10+ | $1.090 |
| 25+ | $0.978 |
| 50+ | $0.884 |
| 100+ | $0.778 |
| 250+ | $0.701 |
| 500+ | $0.584 |
| 1000+ | $0.566 |
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI072N06PT
No. Parte Newark27AM3427
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds65V
Intensidad Drenador Continua Id72A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4800µohm
Diseño de TransistorQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia43W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
72A
Diseño de Transistor
QFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
43W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
65V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4800µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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