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DI068P04D1-AQ
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 68 A, 0.0073 ohm, TO-252AA (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI068P04D1-AQ
No. Parte Newark16AM8199
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.910 |
| 10+ | $1.670 |
| 25+ | $1.530 |
| 50+ | $1.410 |
| 100+ | $1.220 |
| 250+ | $1.110 |
| 500+ | $0.991 |
| 1000+ | $0.960 |
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI068P04D1-AQ
No. Parte Newark16AM8199
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id68
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0073
Diseño de TransistorTO-252AA (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia65
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
68
Diseño de Transistor
TO-252AA (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
65
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0073
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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