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DI050N06D1
MOSFET de Potencia, Canal N, 65 V, 50 A, 11 mohm, TO-252AA (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI050N06D1
No. Parte Newark16AM8194
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.993 |
| 10+ | $0.831 |
| 25+ | $0.748 |
| 50+ | $0.677 |
| 100+ | $0.596 |
| 250+ | $0.536 |
| 500+ | $0.447 |
| 1000+ | $0.433 |
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI050N06D1
No. Parte Newark16AM8194
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds65
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente11
Diseño de TransistorTO-252AA (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia42
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
50
Diseño de Transistor
TO-252AA (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
42
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
65
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
11
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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