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DI048N04PQ2-AQ
MOSFET Dual, Doble Canal N, 40 V, 36 A, 0.096 ohm
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI048N04PQ2-AQ
No. Parte Newark16AM8191
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.270 |
| 10+ | $1.110 |
| 25+ | $1.020 |
| 50+ | $0.940 |
| 100+ | $0.812 |
| 250+ | $0.738 |
| 500+ | $0.661 |
| 1000+ | $0.640 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI048N04PQ2-AQ
No. Parte Newark16AM8191
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N36A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.096ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorQFN
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N24W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
36A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.096ohm
Diseño de Transistor
QFN
Disipación de Potencia de Canal N
24W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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